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硅片視覺(jué)檢測(cè)的發(fā)展歷程與革命性光源的崛起,常州PLC培訓(xùn),常州工業(yè)機(jī)器人培訓(xùn)

 

本文回顧了硅片視覺(jué)檢測(cè)從EL檢測(cè)向PL檢測(cè)的技術(shù)轉(zhuǎn)變,詳細(xì)介紹了兩款革命性光源的崛起,包括1050nm紅外光源和低成本PL光源。這兩款光源以其低成本和高效率的優(yōu)點(diǎn),改變了硅片檢測(cè)的格局,帶來(lái)了全新的發(fā)展機(jī)遇。

關(guān)鍵詞:硅片視覺(jué)檢測(cè);EL檢測(cè);PL檢測(cè);1050nm紅外光源;低成本PL光源


1硅片視覺(jué)檢測(cè)在現(xiàn)代科技領(lǐng)域中具有重要地位,它對(duì)于確保硅片質(zhì)量的高標(biāo)準(zhǔn)起著關(guān)鍵作用。在過(guò)去的發(fā)展歷程中,從傳統(tǒng)的EL檢測(cè)到PL檢測(cè)的替代,再到如今兩款革命性的光源的引入,硅片視覺(jué)檢測(cè)的技術(shù)不斷進(jìn)步與演變。本文將帶您回顧硅片視覺(jué)檢測(cè)的發(fā)展歷程,并介紹兩款低成本替代PL激光檢測(cè)的革命性光源,它們?yōu)楣杵瑱z測(cè)帶來(lái)了全新的突破。


2傳統(tǒng)EL檢測(cè)與PL檢測(cè)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)

在硅片視覺(jué)檢測(cè)的初期發(fā)展階段,EL檢測(cè)(電致發(fā)光)方案被廣泛采用。該方案通過(guò)正向偏壓并觀察硅片的自發(fā)光情況來(lái)檢測(cè)缺陷。然而,EL檢測(cè)存在一些隱患,如二次隱裂風(fēng)險(xiǎn)和低檢測(cè)效率。二次隱裂風(fēng)險(xiǎn)指的是傳統(tǒng)EL檢測(cè)需要將探針接觸到硅片表面,可能引發(fā)硅片的二次隱裂,對(duì)硅片的完整性構(gòu)成潛在威脅。而檢測(cè)效率較低是因?yàn)閭鹘y(tǒng)EL檢測(cè)需要逐片進(jìn)行接觸式檢測(cè),導(dǎo)致檢測(cè)速度較慢,限制了生產(chǎn)效率的提高。

隨著技術(shù)的進(jìn)步,PL檢測(cè)(光致發(fā)光)方案應(yīng)運(yùn)而生,成為EL檢測(cè)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。PL檢測(cè)利用特定波長(zhǎng)的激光對(duì)樣品進(jìn)行光學(xué)激發(fā),通過(guò)高靈敏的相機(jī)感光和成像,實(shí)現(xiàn)非接觸式檢測(cè)。相比EL檢測(cè),PL檢測(cè)具有諸多優(yōu)勢(shì),如消除了二次隱裂風(fēng)險(xiǎn)、提高了檢測(cè)效率,并能準(zhǔn)確判斷硅片內(nèi)部缺陷情況。然而,PL檢測(cè)存在激光器和配套相機(jī)價(jià)格高昂的問(wèn)題,限制了其廣泛應(yīng)用。


3革命性光源的崛起

▷1050nm紅外光源的突破性應(yīng)用

隨著硅片尺寸的增大和厚度的減小,近紅外光源發(fā)現(xiàn)了機(jī)會(huì)。經(jīng)過(guò)測(cè)試,發(fā)現(xiàn)波長(zhǎng)為1050nm的紅外光源可以穿透部分薄硅片。由于硅片對(duì)近紅外光具有較低的吸收率和較高的透光率,大部分紅外光可以穿透硅片。因此,我們可以從原硅片的另一側(cè)放置近紅外相機(jī)進(jìn)行成像,觀察硅片內(nèi)部和外觀的缺陷,如隱裂、崩邊缺角和表面臟污等。這種非接觸式檢測(cè)方法不僅避免了EL檢測(cè)接觸式檢測(cè)可能引發(fā)的二次隱裂風(fēng)險(xiǎn),而且成本低于PL檢測(cè)使用的激光模組,同時(shí)提高了檢測(cè)效率和準(zhǔn)確性。

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▷低成本PL光源的革命性突破

在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的背景下,高昂的激光模塊價(jià)格勸退了許多廠家。此時(shí),P-LSG-350-PL光源異軍突起,以價(jià)格低廉且同樣能激發(fā)硅片中處于基態(tài)的電子進(jìn)入激發(fā)態(tài)。這款光源在圖像效果上與激光模塊的效果一致,解決了PL檢測(cè)中激光模塊價(jià)格高且激光專用相機(jī)低像素價(jià)格就居高不下的問(wèn)題。低成本PL光源的問(wèn)世,使得更多廠家能夠采用高分辨率的相機(jī),提高圖像的精度和檢測(cè)的準(zhǔn)確性。

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4結(jié)語(yǔ)

硅片視覺(jué)檢測(cè)在過(guò)去的幾十年中經(jīng)歷了從EL檢測(cè)到PL檢測(cè)的技術(shù)轉(zhuǎn)變。然而,高成本的激光模組和配套設(shè)備限制了PL檢測(cè)的廣泛應(yīng)用。隨著1050nm紅外光源的突破性應(yīng)用和低成本PL光源的革命性突破,硅片視覺(jué)檢測(cè)迎來(lái)了全新的發(fā)展機(jī)遇。這兩款光源技術(shù)以其價(jià)格合理和性能卓越的特點(diǎn),改變了硅片檢測(cè)的格局,光源已經(jīng)批量出貨,并得到客戶的持續(xù)好評(píng)。為廠家提供了更靈活、高效、準(zhǔn)確的選擇?蛻魧(duì)1050nm紅外光源和低成本PL光源的持續(xù)好評(píng)進(jìn)一步證明了它們?cè)趯?shí)際應(yīng)用中的優(yōu)越性和可靠性。硅片視覺(jué)檢測(cè)行業(yè)正在迎接新的發(fā)展時(shí)代,光源的革命性突破為行業(yè)帶來(lái)了

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